Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby quebec » Sat Jan 21, 2017 1:16 pm

Salut Jean-Marc

jean-marc plantefève wrote:Bonjour quebec,

"ils disent que c'est mieux avec un tranfo"
Qu'avec une compensation uniquement solid state ? Où çà !?

non pas comme avec votre singlotron .... ce genre de circuit n’existait pas dans ce temps là , mais les autres circuit avec alimentation + et -
mais il y aurait tu moyen de placer la ligne de charge plus a plat pour votre Singlotron , pente moins raide et avec surtout une amplification en voltage comme le Némésis mais ça implique un point de repos pas mal plus haut en voltage ( 36 , 40 volt )pour compenser la moins grande amplitude en Ampérage


"je voie qu'avec un transfo , la compression qu'il y a sur la phase négative se reporte sur la phase positive par inductance"
Tu vois cela où !? J'ai beau relire, c'est plutôt l'asymétrie qui est mise en avant avec prédominance d'harmoniques pairs.

... le , je voie , c'était dans ma tête , ma logique , pas dans le texte :)
le voltage plus élevé que 40 V provient de l'inductance dans le transfo , comme avec les tubes mais cette inductance provenant de la phase négative contient une compression des pics si le signal est trop fort .... et on le retrouve , cette compression , aussi dans la phase positive , ce qui est un plus pour moi mais quand même moins bon que si il n'y aurait pas de compression , mais cela implique que le HP soit très très efficace ou bien qu'on soit avec une ch. de compr.


"non , il est là"
Sur la figure 16, mais aucunement dans ton analyse. Et la transconductance du Mosfet ?
  • 40V en crête à crête au primaire (limite de l'alimentation), c'est (40/110)*40V=14.5V crête à crête au secondaire (14.5V c/c = 5.1Vrms = 3W/8R)

    dans la fig 16 ... avec un swing de 3 volt ; le p. r. 40 volt et a 1.5 volt sur les courbes du SK , le point le plus à gauche avant compression ; 5 Vds et sur la courbe 3 V du SK , donc un swing de 1.5 V en négatif pour le signal et un voltage en sortie de 35 V pour la phase négative .... le double pour le crête à crête
  • sur 8R, c'est 1,8A c/c au secondaire et (40/110)*1.8A=0.65A c/c au primaire
  • Avec 0.7A/V au 2sk135, cela fait un environ 1V crête à crête à la grille du Mosfet

Pour la puissance , je le prend surtout sur la figure 16
À ce 35 volt il faut enlever la perte du au transfo , +ou- 20% , donc plutôt 25 volt X par le courant 2/3 d'amp ( phase positive pour la puissance ), on a donc 16 watts . Mais vous savez comme moi que le double de puissance n'est que de 3 db , donc ça reste relatif ( la puissance )
Vous vous rappelez , je suis VISUEL ;)


Je me demande du coup comment on peut annoncer 14W en figure 6, avec 25V crête à crête...
25V c/c = 8.8Vrms = 10W/8R, la saturation déjà visible peut gonfler la valeur rms et donc la puissance moyenne à 14W... (8% de distorsion en fig.5 ... ah, ces audiophiles... j'adore aussi le Metalymphy 330VA 110V/40V affublé d'une adaptation d'impédance "73R/9.7R").

Par ailleurs, la figure 16 est elle même discutable. Le point de fonctionnement à 40V 650mA n'est vrai qu'en continu, donc au repos. Dès qu'il y a modulation dans la bande passante du transfo, le point passe à 20V 650mA. Avec cette gigue de la droite de charge, l'argument de Johannet du fonctionnement à puissance dissipée et température constantes tombe.

Je suis quoi cette fois ? (hihi !)


Paix aux hommes de bonne volonté .... :)
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby jean-marc plantefève » Sun Jan 22, 2017 11:38 am

Bonjour quebec,

"non pas comme avec votre singlotron .... ce genre de circuit n’existait pas dans ce temps là"

Audiophile nouvelle série n°26 : fin 1993. Le 2SJ50, complémentaire du 2SK135, le permettait depuis dix ans. Et le solide Id max de 7A (contrairement aux mA de nombreux tubes) n'exigeait pas de transfo élévateur de courant (et abaisseur de tension).

"... le , je voie , c'était dans ma tête , ma logique , pas dans le texte ... le voltage plus élevé que 40 V provient de l'inductance dans le transfo , comme avec les tubes mais cette inductance provenant de la phase négative contient une compression des pics si le signal est trop fort .... et on le retrouve , cette compression , aussi dans la phase positive"
((Une droite de charge au primaire a la pente de la charge secondaire divisée par le rapport de transformation au carré : 8R / (40V/110V)² = 60R.
  • avec une alimentation de 40V, c’est une excursion en intensité crête à crête de 40V / 60R = 0.66A
  • +/-0.33A autour de l’intensité de repos, choisie ici à 0.65A ; X à 0.32A ; Y à 0.97A
  • le swing en Vgs est bien de l'ordre de 1V crête à crête et non de 3V comme tu le "vois"
Mais attention, le transformateur ne passe pas le DC, ainsi, la charge primaire DC est de 0R. D’où la transition (complexe) entre les points R au repos et Z au passage à zéro d’un AC audio.

droie.PNG
droie.PNG (8.89 KiB) Viewed 2194 times

La figure 16 de Johannet est ainsi fort discutable. En fait une photocopie mal maquillée de la fig.12 du Némésis original de 1985. Et je répète mes doutes quand à l'excursion 25V càc (10W) en sortie dans ces conditions (40V d'alim, transfo 110V/40V=2.75). D'ailleurs, Jean Hiraga n'avait publié aucun oscillogramme au delà de 3W (14V càc) avec alim de 38V et Tango 64R/8R=2.82².)) : erroné

Bien à toi, Jean-Marc.

Edit le 24/01
Last edited by jean-marc plantefève on Tue Jan 24, 2017 10:01 am, edited 6 times in total.
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby jean-marc plantefève » Sun Jan 22, 2017 2:34 pm

Quebec,

"Vous vous rappelez , je suis VISUEL"
Tout être possède au moins les huit intelligences listées par Howard Gardner, dans des proportions différentes, évidement. Se retrouver face à une personne qui se revendique d'une fortement prioritaire, c'est bloquant.
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby jimbee » Sun Jan 22, 2017 4:14 pm

jean-marc plantefève wrote:
La figure 16 de Johannet est ainsi fort discutable. En fait une photocopie mal maquillée de la fig.12 du Némésis original de 1985. Et je répète mes doutes quand à l'excursion 25V càc (10W) en sortie dans ces conditions (40V d'alim, transfo 110V/40V=2.75). D'ailleurs, Jean Hiraga n'avait publié aucun oscillogramme au delà de 3W (14V càc) avec alim de 38V et Tango 64R/8R=2.82².

Bien à toi, Jean-Marc.


Bonjour Jean-Marc,

Il me semble qu'en partant de la droite de charge, dans l'article initial de J. Hiraga,
http://www.asrr.org/biblioteca/Revue%20 ... MESIS.html

le swing alternatif ( c. à c. ) peut, avant les gros dégats, aller grosso modo de 5 à 73 Volts ce qui, ramené au secondaire,
donne une excursion c. à c. de 24 Volts, soit 9 W / 8 Ohms,
valeur signalée dans l'article comme étant la limite avant saturation.

cdt

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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby quebec » Sun Jan 22, 2017 6:45 pm

Le voltage au secondaire est plus bas ok mais le courant en amp doit être plus haut ce qui donne grosso modo la même puissance .... rien ne se perd , rien ne se créer .... du moins de ce que j'ai abris à l'Université dans les cours d'Électricité , ... mais ça fait très très longtemps ... en 1970

Juste 9 watts c'est pas beaucoup

Jean-Marc .... ce que j’écris , c'est ce que je comprend avec mes limites .... je revendique rien
si vous bloquez c'est sans doute que vous avez des complexes :) ..... humour , peut-être noir :D
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby jean-marc plantefève » Sun Jan 22, 2017 7:07 pm

Bonjour Jimbee,

Je vois bien la droite de charge de l'article de Jean sur le Némésis. Surtout le point de fonctionnement, mais même en considérant l'effet selfique, l'électronique peut-elle suivre cette droite jusqu'à 70V avec une alimentation de 40V !? Et le point de repos DC serait le même que le point de passage à zéro en AC audio ?!

Une simulation rapide avec un modèle 2SK134 de Cordell :

nem_transfo.PNG

Bien à toi, Jean-Marc.
Last edited by jean-marc plantefève on Sun Jan 22, 2017 7:58 pm, edited 3 times in total.
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby jean-marc plantefève » Sun Jan 22, 2017 7:11 pm

Quebec,

"si vous bloquez c'est sans doute que vous avez des complexes"
C'est surtout parce que tu oses tout...

"ce que j’écris , c'est ce que je comprend avec mes limites ...."
Ah ! Si c'est une oeuvre, alors...

M. Fernand.
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby jimbee » Sun Jan 22, 2017 8:09 pm

jean-marc plantefève wrote:
Et le point de repos DC serait le même que le point de passage à zéro en AC audio ?!

Une simulation rapide avec un modèle 2SK134 de Cordell :

nem_transfo.PNG

Bien à toi, Jean-Marc.


Bonsoir Jean-Marc,

Oui, pour la question, ce me semble, comme avec un s.e. genre 300 B, alimentation par exemple 400 V , swing au primaire 200 V <--> 600 V
à la résisitivité près des enroulements du primaire. Dans ta simulation, pourquoi R1 de 60 Ohms puisque l'impedance du primaire
tend vers pas grand chose au continu?

cdt

https://www.youtube.com/watch?v=4R11-4uMeSM
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby jean-marc plantefève » Sun Jan 22, 2017 8:29 pm

Jimbee,

"pourquoi R1 de 60 Ohms puisque l'impedance du primaire tend vers pas grand chose au continu?"
Et pourquoi pas grand chose puisque l'impédance du primaire tend vers 60R en AC audio ?
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby jimbee » Sun Jan 22, 2017 8:46 pm

"Et pourquoi pas grand chose puisque l'impédance du primaire tend vers 60R en AC audio ?"

en AC audio, oui, en DC, c'est la résistance du fil, ... vie et mœurs des transfos.

cdt

ex. avec une 300 B

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agrandi:


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