Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Le <a href="http://www.elektor.fr/bienentendu" target=_blank><U>livre</U></a> de Francis Ibre

Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby jean-marc plantefève » Mon Jan 16, 2017 4:06 pm

Bonjour Quebec,

Je te conseille de lire cet article de Pierre Johannet.

Il y est expliqué que la contre-réaction de la sortie de l'ampli vers l'étage d'entrée ajouté, permet d'étendre la bande passante. Et que le Nemesis compensé profite en plus d'un transformateur de sortie sans courant DC, transfo qui peut alors être sans entrefer (un torique) et donc avec une bande passante encore plus basse.

Bien à toi, Jean-Marc.
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby quebec » Mon Jan 16, 2017 5:01 pm

Salut Jean-Marc

J'ai aussi lu le Némésis compensé ..... sur le Super Némésis

Je me demandais si on pourrais le faire aussi sur le Némésis original qui est sans tr. d'entré?

bahhhh avec de la contre-réaction , mon premier réflexe .... non merci , ça enlève des micro-informations ( d'après moi ) , je préfère sans le c-r ... ok il y a un peu plus de distorsion mais par contre le son est plus riche en nuance ( petite variation ) , surtout si on considère que c'est surtout de la distorsion de H2 comme les tubes ( si c'est le cas ) .... pas trop dérangeant .

OK avec une contre-réaction on diminue un peu l'effet de la suralimentation du mosfet par le signal , le swing est plus grand . Pour moi c'est un inconvénient , peut-être que c'est un + pour les systèmes à un seul ampli .... d'avoir un peu plus de basse , mais pas au détriment de la dynamique qui est compressé à cause du signal trop puissant provenant du premier étage , même si c'est seulement 6 db de plus . C'est mieux d'avoir un ampli dédié pour la basse ..... je demande pas à un ampli de 10 à 15 watts d'alimenter un 15" ... un 8" peut-être , mais ok la basse a moins de corps ..... mais pour le baroque c'est suffisant d'avoir un basse qui descend bas mais sans être envahissante

Il y a un autre interrogation que je me pose ..... pourquoi que le bias du signal ne correspond pas au voltage du point de repos ?
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby jean-marc plantefève » Mon Jan 16, 2017 6:40 pm

Quebec,

"J'ai aussi lu le Némésis compensé ..... sur le Super Némésis
Je me demandais si on pourrais le faire aussi sur le Némésis original qui est sans tr. d'entré?"

Si on pouvait faire quoi ?

"bahhhh avec de la contre-réaction , mon premier réflexe .... non merci , ça enlève des micro-informations ( d'après moi )"
Je m'attendais à un truc du genre...

"OK avec une contre-réaction on diminue un peu l'effet de la suralimentation du mosfet par le signal , le swing est plus grand . Pour moi c'est un inconvénient , peut-être que c'est un + pour les systèmes à un seul ampli .... d'avoir un peu plus de basse , mais pas au détriment de la dynamique qui est compressé à cause du signal trop puissant provenant du premier étage , même si c'est seulement 6 db de plus . C'est mieux d'avoir un ampli dédié pour la basse ..... je demande pas à un ampli de 10 à 15 watts d'alimenter un 15" ... un 8" peut-être , mais ok la basse a moins de corps ..... mais pour le baroque c'est suffisant d'avoir un basse qui descend bas mais sans être envahissante"
... un morceau d'anthologie.

"pourquoi que le bias du signal ne correspond pas au voltage du point de repos ?"
? !?
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby quebec » Mon Jan 16, 2017 8:54 pm

jean-marc plantefève wrote:Quebec,

"J'ai aussi lu le Némésis compensé ..... sur le Super Némésis
Je me demandais si on pourrais le faire aussi sur le Némésis original qui est sans tr. d'entré?"

Si on pouvait faire quoi ?




de faire une version du Némésis original compensé , comme la version du Super Némésis compensé mais sans le transistor d'entré

Pour l'impression de la basse , je trouve que c'est un peu comme avec la musique des jeunes , très compressé pour que la basse ressorte plus . Dans la fig 16 de l'art. du Némésis compensé , on voie qu'il y a seulement un swing de 1.5 volt de chaque coté et si c'est plus il y a compression jusqu'à 8 volt , mais après c'est du DC pour le pic coupé

On voie que sur le graphique la surface sous l'onde compressé est plus grande , donc le HP a du courant plus élevé plus longtemps .... d'ou l'impression d'une plus grande basse

Image
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby jean-marc plantefève » Tue Jan 17, 2017 9:34 pm

Quebec,

"...une version du Némésis original compensé , comme la version du Super Némésis compensé mais sans le transistor d'entré"
Et sans transformateur de sortie ? Ni condensateur de sortie ? Oui, c'est alors le Singlotron, comme l'a exprimé Francis un peu plus haut.

"Dans la fig 16 de l'art. du Némésis compensé , on voie qu'il y a seulement un swing de 1.5 volt de chaque coté et si c'est plus il y a compression jusqu'à 8 volt , mais après c'est du DC pour le pic coupé"
Une telle analyse montre que tu as encore beaucoup à apprendre en électronique linéaire. Ce n'est pas un souci. Le problème est le ton affirmatif, voire catégorique, que tu utilises. As-tu conscience que cela peut mener en bateau quelques lecteurs novices ?

"On voie que sur le graphique la surface sous l'onde compressé est plus grande"
Hum... "le graphique"..., veux-tu parler de ton gribouillage ?
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby quebec » Wed Jan 18, 2017 12:12 pm

jean-marc plantefève wrote:Quebec,

"...une version du Némésis original compensé , comme la version du Super Némésis compensé mais sans le transistor d'entré"
Et sans transformateur de sortie ? Ni condensateur de sortie ? Oui, c'est alors le Singlotron, comme l'a exprimé Francis un peu plus haut.

C'est vous qui ne comprenez pas ...... faire comme le Super Némésis compensé mais sur le Némésis original .... un transfo d'alimentation en double entré AC ( un toroïdal ) qu'on utilise comme transfo de sortie

"Dans la fig 16 de l'art. du Némésis compensé , on voie qu'il y a seulement un swing de 1.5 volt de chaque coté et si c'est plus il y a compression jusqu'à 8 volt , mais après c'est du DC pour le pic coupé"
Une telle analyse montre que tu as encore beaucoup à apprendre en électronique linéaire. Ce n'est pas un souci. Le problème est le ton affirmatif, voire catégorique, que tu utilises. As-tu conscience que cela peut mener en bateau quelques lecteurs novices ?

Moi je parle d'après mes notions , pour moi c'est le plus logique , pour les autres c'est à eux de le conforter avec leur background .
Bizarre on fait pourtant la même chose avec les tubes ..... c'est simple pourtant , on mesure la distance du swing de chaque coté du point de repos .


"On voie que sur le graphique la surface sous l'onde compressé est plus grande"
Hum... "le graphique"..., veux-tu parler de ton gribouillage ?

Très très positif ! ........... saisissez le sens au lieu de faire des remarques négatives

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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby jean-marc plantefève » Thu Jan 19, 2017 6:00 pm

Bonjour Quebec,

Il est fort possible que je ne comprenne pas certaines choses. Par exemple qu'on puisse réfuter le principe de la contre-réaction et du même temps approuver la présence de transformateur en sortie. Si on défend la transparence du circuit court, direct, élémentaire, on devrait davantage être séduit par un SE à compensation solid state comme le singlotron que par une compensation par champ magnétique dans un transformateur avec distorsion par hystérésis et distorsion de phase.

A propos de swing à la figure 16 de l'article de l'Audiophile : tu oublies dans ton analyse la transconductance du Mosfet (en A/V), le rapport de tensions au transformateur (en V/V) et l'impédance du haut-parleur (en R). Pourtant nécessaires à la bonne définition de la fonction de transfert (en V/V). Une compression ou une saturation prématurée face à la tension d'alimentation ne peut être subodorer sans cela. Et c'est pareil pour un schéma à tubes.

Quand à ton "graphique", je reconnais que d'être passé par l'école Elektor dans les années 80 et 90, m'a rendu sensible à l'élégance et à la précision des croquis, figures, schémas et plans. Et là, reconnais que c'est le ponpon.

Bien à toi, Jean-Marc.
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby fdracing » Thu Jan 19, 2017 6:10 pm

Il y en à qui ne manque pas d'air , aller dire a un gars comme Jean Marc Plantefève qu'il ne comprends , c'est osé , limite grossier .

perso si je viens sur ce forum c'est bien pour lire des gars comme lui et Francis , qui sont des masters en la matière et dont les conseils sont très précieux car issu de ce qui manque à beaucoup , le savoir et une grande expérience ;)

un grand merci a ces messieurs pour tous ce qu'ils ont fait et font ;)





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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby quebec » Thu Jan 19, 2017 9:43 pm

jean-marc plantefève wrote:Bonjour Quebec,

Il est fort possible que je ne comprenne pas certaines choses. Par exemple qu'on puisse réfuter le principe de la contre-réaction et du même temps approuver la présence de transformateur en sortie. Si on défend la transparence du circuit court, direct, élémentaire, on devrait davantage être séduit par un SE à compensation solid state comme le singlotron que par une compensation par champ magnétique dans un transformateur avec [color=#FF0080]distorsion par hystérésis et distorsion de phase. ah bon ! et les SE à tubes , pour eux ça dérange pas ? ...... tout est relatif[/color]

relisez les différents documents sur le Némésis dans la revue L'Audiophile ....... ils disent que c'est mieux avec un tranfo ......... car pour moi , je voie qu'avec un transfo , la compression qu'il y a sur la phase négative se reporte sur la phase positive par inductance , donc même si on pousse le volume il va avoir compression sur les deux coté au lieu d'un seul avec le singlotron ( la phase négative ) et de la distorsion d'intermodulation pour la phase + , ok c'est seulement pour les pics élevés mais c'est là quand même ..... je ne suis pas un spécialiste mais pour moi il y a des points plus important que d'autre ..... je vais peut-être faire le singlotron aussi pour comparer . C'est vrai que je préfère sans contre-réaction , pour le principe même de toucher le moins possible au signal .

Et puis , j’attends toujours pour savoir si on peut faire une version "compensé" du Némésis de Jean Hiraga , comme celui qu'on voit sur le Super Némésis Compensé ...... je suppose que oui , mais pas sure , ni comment faire au juste


A propos de swing à la figure 16 de l'article de l'Audiophile : tu oublies dans ton analyse la transconductance du Mosfet (en A/V), le rapport de tensions au transformateur (en V/V) et l'impédance du haut-parleur (en R). Pourtant nécessaires à la bonne définition de la fonction de transfert (en V/V). Une compression ou une saturation prématurée face à la tension d'alimentation ne peut être subodorer sans cela. Et c'est pareil pour un schéma à tubes.

non , il est là , pour le Némésis le mieux c'est le rapport 64 : 8 qu'on retrouve avec la ligne de charge ..... la formule rac carré du rapport 64 / 8 donne le rapport en voltage du transfo .... 2.8

Quand à ton "graphique", je reconnais que d'être passé par l'école Elektor dans les années 80 et 90, m'a rendu sensible à l'élégance et à la précision des croquis, figures, schémas et plans. Et là, reconnais que c'est le ponpon.

Bien à toi, Jean-Marc.


Mais bravo , cette fois-ci vous êtes constructif ! ;)
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Re: Design pour un ampli SE transistor ou mosfet

Postby jean-marc plantefève » Fri Jan 20, 2017 6:59 pm

Bonjour quebec,

"ils disent que c'est mieux avec un tranfo"
Qu'avec une compensation uniquement solid state ? Où çà !?

"je voie qu'avec un transfo , la compression qu'il y a sur la phase négative se reporte sur la phase positive par inductance"
Tu vois cela où !? J'ai beau relire, c'est plutôt l'asymétrie qui est mise en avant avec prédominance d'harmoniques pairs.

"non , il est là"
Sur la figure 16, mais aucunement dans ton analyse. Et la transconductance du Mosfet ?
  • 40V en crête à crête au primaire (limite de l'alimentation), c'est (40/110)*40V=14.5V crête à crête au secondaire (14.5V c/c = 5.1Vrms = 3W/8R)
  • sur 8R, c'est 1,8A c/c au secondaire et (40/110)*1.8A=0.65A c/c au primaire
  • Avec 0.7A/V au 2sk135, cela fait un environ 1V crête à crête à la grille du Mosfet

Je me demande du coup comment on peut annoncer 14W en figure 6, avec 25V crête à crête...
25V c/c = 8.8Vrms = 10W/8R, la saturation déjà visible peut gonfler la valeur rms et donc la puissance moyenne à 14W... (8% de distorsion en fig.5 ... ah, ces audiophiles... j'adore aussi le Metalymphy 330VA 110V/40V affublé d'une adaptation d'impédance "73R/9.7R").

((Par ailleurs, la figure 16 est elle même discutable. Le point de fonctionnement à 40V 650mA n'est vrai qu'en continu, donc au repos. Dès qu'il y a modulation dans la bande passante du transfo, le point passe à 20V 650mA. Avec cette gigue de la droite de charge, l'argument de Johannet du fonctionnement à puissance dissipée et température constantes tombe.)) erroné

Je suis quoi cette fois ? (hihi !)

Edit le 24/01
Last edited by jean-marc plantefève on Tue Jan 24, 2017 9:54 am, edited 1 time in total.
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